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傳統(tǒng)硅片回收清洗技術(shù)介紹
    傳統(tǒng)的RCA清洗技術(shù)：所用清洗裝置大多是多糟浸泡式清洗系統(tǒng)清洗工序：SC-1一DHF—SC-2
  清洗去馀顆粒：
(1)目的：主要是去除顆粒沾污（粒子）也能去除部分金屬雜質(zhì)。
(2)去除顆粒的原理：
    硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。
①自然氧化膜約0.6nm厚，其與NH40H、H202濃度及清洗液溫度無關(guān)。
②Si02的腐蝕速度，隨NH40H的濃度升高而加快，其與H202的濃度無關(guān)。
⑧Si的腐蝕速度，隨NH40H的濃度升高而快，當(dāng)?shù)竭_(dá)某一濃度后為一定值，H202濃度越高這一值越小。
④NH40H促進(jìn)腐蝕，H202阻礙腐蝕。
⑤若H202的濃度一定，NH40H濃度越低，顆粒去除率也越低，如果同時(shí)降低H202濃度，可抑制顆粒的去除率的下降。
⑥隨著清洗洗液溫度升高，顆粒去除率也提高，在一定溫度下可達(dá)大值。
⑦顆粒去除率與硅片表面腐蝕量有關(guān)，為確保顆粒的去除要有一定量以土的腐蝕。
⑧超聲波清洗時(shí)，由于空洞現(xiàn)象，只能去除≥0.4 pm顆粒。兆聲清洗時(shí)，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除≥0.2 pm顆粒，即使液溫下降到40℃也能得到與80℃超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲洗晶片產(chǎn)生損傷。
⑨在清洗液中，硅表面為負(fù)電位，有些顆粒也為負(fù)電位，由于兩者的電的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
    (3)．去除金屬雜質(zhì)的原理：
①由于硅表面的氧化和腐蝕作用，硅片表面的金屬雜質(zhì)，將隨腐蝕層而進(jìn)入清洗液中，并隨去離子水的沖洗而被排除。
②由于清洗液中存在氧化膜或清洗時(shí)發(fā)生氧化反應(yīng)，生成氧化物的==能的值大的金屬容易附著在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附著在自然氧化膜上。而Ni、Cu則不易附著。
③Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有時(shí)會(huì)附著在自然氧化膜上。
④實(shí)驗(yàn)結(jié)果：
a．據(jù)報(bào)道如表面Fe濃度分別是101 1、1012、1013原子/cm2三種硅片放在SC-1液中清洗后，三種硅片F(xiàn)e濃度均變成1010原子/cm2。若放進(jìn)被Fe污染的SC-1清洗液中清洗后，結(jié)果濃度均交成
1013/cm2。
b．用Fe濃度為1ppb的SC-1液，不斷變化溫度，清洗后硅片表面的Fe濃度隨清洗時(shí)問延長而升高。
    對(duì)應(yīng)于某溫度洗1 000秒后，F(xiàn)e濃度町上升到恒定值達(dá)1012-4x1012原子/cm2。將表面Fe濃度為1012原子/cm2硅片，放在濃度為1ppb的SC-1液中清洗，表面Fe濃度隨清洗時(shí)問延長而下


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